インテルとマイクロン、世界初の 20nm プロセス技術に基づく 128G ビット NAND フラッシュメモリーと 64G ビット NAND フラッシュメモリーの量産を開始
2011 年 12 月 7 日
＜ご参考資料＞
* 2011 年 12 月 6 日に米国で発表されたプレスリリースの抄訳です。
ニュース・ハイライト
- 20nm プロセス技術に基づく 128G ビット MLC NAND フラッシュメモリーは、従来の 64G ビット NAND フラッシュメモリーと比べ容量と性能が倍増。タブレット端末、スマートフォン、SSD や高性能なコンピューティング機器などに最適
- インテルとマイクロンは 20nm プロセス技術に基づく 64G ビット NAND フラッシュメモリーの量産を開始。最先端 NAND 製造プロセス技術により引き続き業界をリード
- 業界初のモノリシック 128G ビット・ダイは、指先サイズのパッケージに 8 個のダイを収めることで 1 テラビットのデータ記憶が可能−−ますます高まる薄型製品への期待に応える新たなストレージ・ソリューション
- 20nm プロセス技術による革新的セル構造を初めて採用し、NAND 型フラッシュメモリーで標準的なフローティング・ゲートの微細化の課題を克服
インテル コーポレーション（本社：米国カリフォルニア州サンタクララ）とマイクロン テクノロジー社（本社：米国アイダホ州ボイジー）は本日、NAND 型フラッシュテクノロジーで世界初となる、20 ナノメートル（nm）プロセス技術に基づく 128G ビット（Gb）のマルチレベルセル（MLC）NAND 型フラッシュメモリーを発表しました。また両社は、20nm プロセス技術で 64Gb NAND 型フラッシュメモリーの量産も開始し、NAND プロセス技術におけるリーダーシップをさらに強化します。
インテルとマイクロンの合弁会社である IM フラッシュ・テクノロジー（IMFT）は、新規開発した 20nm プロセス技術に基づく 128Gb NAND 型フラッシュメモリーのダイ 8 個を使用し、指先サイズのパッケージに収めることで、業界で初めて 1 テラビット（Tb）のデータ・ストレージを実現しました。IMFT の 20nm プロセス技術に基づく 64Gb NAND 型フラッシュメモリーと比較して、2 倍の容量と性能を提供します。この 128Gb NAND 型フラッシュメモリーは 333M 転送／秒を満たす高速の ONFI3.0 規格に準拠しており、タブレット端末、スマートフォン、大容量 SSD など、現在拡大する薄型でスタイリッシュな製品に向けて、費用対効果の高いストレージ・ソリューションを顧客に提供します。
マイクロン テクノロジー社 NAND ソリューション事業担当副社長のグレン・ホークは、「ポータブル機器の小型化・薄型化が進むにつれてサーバーの需要も増加し、お客様は革新的な新しいストレージ技術とシステム・ソリューションを当社に期待しています。当社とインテルのコラボレーションは、今後もそのようなシステム構築に不可欠である優れた NAND テクノロジーと専門性をお届けします」と述べています。
また両社は 20nm プロセス技術において、従来のアーキテクチャーとは異なる革新的な新型セル構造を採用し、今回の微細化を可能にしたことを明らかにしました。両社の 20nm プロセス技術では、業界初の平面セル構造を採用したことにより新しいプロセス技術特有の問題を克服し、旧世代と同等の性能と信頼性を実現しています。この平面セル構造は NAND 型フラッシュメモリーの製造に初めて Hi-K メタルゲートを採用したことで、標準的なフローティング・ゲート・セルに見られる微細化の課題を克服することに成功しています。
インテル コーポレーション 副社長 兼 NAND ソリューション事業部長のロブ・クルークは、「インテルとマイクロンの共同開発により、両社は NAND テクノロジーで業界をリードしています。多くの“業界初”となる製品を提供するなか、今回、両社が、大容量、低コスト、高品質の 20nm プロセス技術に基づく NAND フラッシュメモリーを提供できることを大変嬉しく思います。IMFT は平面セル構造と Hi-K メタルゲートを採用することで、NAND 型フラッシュメモリーは技術性能がさらに向上し、素晴らしい新製品、サービス、フォームファクターを提供することが可能になります」と述べています。
高性能 NAND 型フラッシュメモリーに対する需要には、データ・ストレージの成長、クラウドへの移行、ポータブル機器の急増という、相互に関連する 3 つの市場トレンドが大きく影響しています。デジタル・コンテンツの増加に伴って、ユーザーはデータを複数の機器で利用し、クラウドですべて同期することを期待しています。データを効率的に送信するため、サーバーは NAND 技術がもたらす高性能・高密度のストレージを必要としており、携帯端末用ストレージはデータへのアクセス増大に伴って需要が増加しています。HD ビデオはユーザー体験を損なわないために大容量ストレージが必要となるアプリケーションの一例です。これらの利用モデルは、コンテンツを受け取る携帯端末と、送信するストレージ・サーバーにおいて高性能・省スペース型ストレージに対する絶好のビジネス機会を作り出します。
インテルとマイクロンは、20nm プロセス技術に基づく 64Gb NAND 型フラッシュメモリー製品の量産を今月開始し、2012 年に 128Gb 製品への移行を進める計画です。128Gb 製品のサンプル出荷は 2012 年 1 月に開始予定で、2012 年前半には量産を開始する計画です。この計画が達成されれば、容量およびファブ全体の生産量はさらに増加し、両社の開発チームは複雑なストレージ・ソリューションの設計や将来のテクノロジーの改良に必要な専門性を発展させることができます。
マイクロンについて
マイクロン テクノロジー社は、先進的な半導体ソリューションを提供する世界的大手企業です。マイクロンは、世界全域での事業活動を通じ、最先端のコンピューター、家電製品、ネットワーキング、組み込み製品、モバイル機器などに使用される DRAM、NAND および NOR フラッシュメモリー全般、およびその他の革新的メモリ技術、パッケージングソリューション、半導体システムなどを製造・販売しています。マイクロン テクノロジー社の普通株式は NASDAQ に MU のコード名で上場取引されています。マイクロン テクノロジー社に関する情報は www.micron.com をご覧下さい。
インテルについて
インテルは、革新的なコンピューティング技術で世界をリードする企業です。インテルは、仕事や生活で利用される様々なコンピューティング機器の基礎となる重要な技術を開発しています。インテルに関する情報は、http://www.intel.co.jp で入手できます。
以上
* インテルおよびインテルのロゴは、米国およびその他の国におけるインテル コーポレーションの商標です。
* マイクロンおよびマイクロンのロゴは、マイクロン テクノロジー社の商標です。
* その他の社名、製品名などは、一般に各社の商標または登録商標です。
情報は予告なく変更されることがあります。このニュースリリースには、20nm プロセス技術に基づく 64Gb および 128Gb NAND フラッシュメモリーに関する将来予測の記述が含まれています。実際の出来事や結果は、将来予測の記述に含まれる内容と大きく異なる可能性があります。マイクロンが米証券取引委員会に対し随時提出する連結ベースの書類、具体的にはマイクロン最新のフォーム「10-K」と「10-Q」をご覧ください。これらの書類は、マイクロンによる連結ベースの実際の結果と「将来予測」に記載されたものが大きく異なる原因となり得る重要な要因を含むと共に、それらを特定しています（「特定の要因」を参照）。当社は「将来予測」に示された期待は妥当だと考えておりますが、将来の結果、活動のレベル、実績、あるいは成果を保証するものではありません。