インテルとマイクロン、世界初の 20nm プロセス技術に基づく 128G ビット NAND フラッシュメモリーと 64G ビット NAND フラッシュメモリーの量産を開始 2011 年 12 月 7 日 ＜ご参考資料＞ * 2011 年 12 月 6 日に米国で発表されたプレスリリースの抄訳です。 ニュース・ハイライト 20nm プロセス技術に基づく 128G ビット MLC NAND フラッシュメモリーは、従来の 64G ビット NAND フラッシュメモリーと比べ容量と性能が倍増。タブレット端末、スマートフォン、SSD や高性能なコンピューティング機器などに最適 インテルとマイクロンは 20nm プロセス技術に基づく 64G ビット NAND フラッシュメモリーの量産を開始。最先端 NAND 製造プロセス技術により引き続き業界をリード 業界初のモノリシック 128G ビット・ダイは、指先サイズのパッケージに 8 個のダイを収めることで 1 テラビットのデータ記憶が可能−−ますます高まる薄型製品への期待に応える新たなストレージ・ソリューション 20nm … Continue reading インテルとマイクロン、世界初の 20nm プロセス技術に基づく 128G ビット NAND フラッシュメモリーと 64G ビット NAND フラッシュメモリーの量産を開始