インテルとマイクロン
新しい 3 次元 NAND 型フラッシュメモリーを発表
～ 技術の進化により、従来の NAND テクノロジーと比較して 3 倍の容量 *1 を実現 ～
2015 年 3 月 27 日
＜ご参考資料＞
* 2015 年 3 月 26 日に米国で発表されたプレスリリースの抄訳です。
ニュース・ハイライト
- 3 次元 NAND テクノロジーは、フローティング・ゲート・セルを採用。量産されている従来の NAND ダイと比較して 3 倍の容量 *1 を備え、これまでで最も高密度のフラッシュ・デバイスを実現
- 板ガムサイズのソリッド・ステート・ドライブ（SSD）で 3.5 テラバイト（TB）以上、標準的な 2.5 インチ SSD で 10TB 以上のストレージ容量を搭載可能
- 革新的なプロセス・アーキテクチャー技術により、ムーアの法則をフラッシュストレージにも拡張し、大幅な密度の向上と同時に NAND フラッシュのコストを低減
インテル コーポレーション（本社：米国カリフォルニア州サンタクララ）とマイクロン テクノロジー社（本社：米国アイダホ州ボイジー）は本日、世界最高の高密度フラッシュメモリーを実現する 3 次元構造（3D）の NAND テクノロジーに基づく製品の提供が可能になったと発表しました。フラッシュは、最軽量のノート PC、高速なデータセンター、そしてほぼすべての携帯電話、タブレット、モバイル端末に採用されているストレージ技術です。
インテルとマイクロンが共同開発したこの新しい 3D NAND テクノロジーは、超高精細のデータ・ストレージ・セルのレイヤーを垂直に積層し、競合する NAND テクノロジーと比較して 3 倍の容量 *1 を備えたストレージ・デバイスを製造することができます。また、より小さいスペースにより多くのストレージ容量を搭載できるため、一般消費者向けのモバイル端末から、最も要件の厳しい企業向けシステムにわたって、大幅なコスト削減、低消費電力化、高パフォーマンスを実現します。
平面構造の NAND フラッシュメモリーは、現実的な拡張性としてその限界に近づいてきており、メモリー業界にとって大きな課題となっています。継続的なパフォーマンスの向上とコスト削減を可能にするムーアの法則がフラッシュストレージのソリューションでも有効であることを示す 3D NAND テクノロジーにより、業界に大きなメリットがもたらされ、フラッシュストレージのさらなる利用拡大を加速させます。
マイクロン テクノロジー社 メモリー・テクノロジー＆ソリューション部門担当副社長のブライアン・シャーリーは「マイクロンとインテルの協業により、高い密度と優れたパフォーマンス、効率性を備えた、業界をリードするソリッド・ステート・ストレージ技術を開発しました。また、この技術は今日のあらゆるフラッシュよりも優れており、市場を抜本的に変革する可能性を秘めています。スマートフォンから、フラッシュに最適化されたスーパーコンピューターに至るまで、これまでにフラッシュがもたらしたさまざまなメリットは、まだその可能性のほんの一部に過ぎません」と述べています。
インテル コーポレーション 上席副社長 兼 不揮発性メモリー・ソリューション事業部長のロブ・クルークは「今回のマイクロンとの技術開発に向けた取り組みは、業界をリードする革新的な不揮発性メモリー技術を市場に提供するというインテルの継続的な注力を示すものです。私たちの新しい 3D NAND テクノロジーによる革新を通じて実現した密度とコストの大幅な改善は、さまざまなコンピューティング・プラットフォームへのソリッド・ステート・ストレージの採用をさらに加速させるでしょう」と述べています。
革新的なプロセス・アーキテクチャー
今回発表したテクノロジーの最大のポイントは、基礎となるメモリー・セルにあります。インテルとマイクロンでは、量産技術として長年にわたり利用されてきた平面構造フラッシュを改良し、広く利用できる設計となるフローティング・ゲート・セルを採用しました。今回、3D NAND に初めてフローティング・ゲート・セルを採用したことが設計上の大きな鍵となっており、これにより性能や品質、信頼性の向上が可能になります。
新しい 3D NAND テクノロジーでは、フラッシュ・セルを垂直に 32 層重ねることで、標準的なパッケージに搭載可能なマルチレベル・セル（MLC）で 256 ギガビット（G ビット）、トリプルレベル・セル（TLC）で 384G ビットのダイを実現します。これらの特長により、板ガムサイズの SSD で 3.5TB 以上、標準的な 2.5 インチ SSD で 10TB 以上のストレージ容量を搭載することが可能になりました。容量は垂直に積層されたセル数により決定されるため、個別のセルの容量を大幅に増加することもできます。これにより性能と耐久性の両方を向上でき、さらにデータセンター向けストレージに最適な TLC 設計が可能になると見込まれています。
3D NAND 設計を採用した製品の主な特長は以下の通りです。
- 大容量：既存の 3D テクノロジーの 3 倍の容量となる、ダイあたり最大 48GB の NAND により、指先サイズのパッケージで 0.75 テラバイト（TB）の容量を搭載可能
- GB あたりのコストを削減：第 1 世代の 3D NAND では、平面構造の NAND よりも優れたコスト効果を実現するアーキテクチャーを採用
- 高速性：リード／ライト向けの高帯域幅、I／O の高速性、高いランダムリードの性能を実現
- 環境負荷の低減：新しいスリープ・モードでは、稼働していない NAND ダイの電力を止めることができる（同一パッケージ内の別のダイが稼働している場合でも）低消費電力特性により、スタンバイ・モードでの消費電力を大幅に低減
- スマート：革新的な新機能により、前世代の製品と比較してレイテンシを改善し、耐久性を向上するとともに、システムの統合を簡素化
256G ビット MLC 3D NAND は本日より一部パートナー向けにサンプル出荷され、また 384G ビット TLC 3D NAND は今春後半にサンプル出荷される予定です。製造ラインはすでに初期生産を開始しており、両デバイスは今年第 4 四半期までに量産出荷される予定です。インテルとマイクロンの両社はまた、それぞれ個別の 3D NAND テクノロジーを採用した SSD ソリューションの製造ラインを準備中で、それぞれ来年中に量産製品を提供開始予定です。
*1 マイクロンとインテルによる 384G ビット TLC 3D NAND ダイと他社の 3D NAND TLC との比較に基づく容量の差
インテルについて
インテルは、コンピューティングの革新を世界でリードする企業です。世界で使用されるコンピューティング機器の基礎となる重要な技術を開発、製造しています。また、企業の社会的責任と持続性をリードする企業として、商用のマイクロプロセッサーとして世界で初めて“コンフリクト・フリー”に対応したマイクロプロセッサーを製造しています。インテルに関する情報は、http://www.intel.co.jp で入手できます。また、コンフリクト・フリーについての取り組みは、http://www.intel.co.jp/content/www/jp/ja/corporate-responsibility/conflict-free-minerals.html で紹介しています。
マイクロンについて
マイクロン テクノロジー社は、先進的な半導体システムを提供する世界的大手企業です。DRAM、NAND、NOR フラッシュを含むマイクロンの幅広い高性能メモリテクノロジーポートフォリオは、ソリッドステートドライブ、モジュール、マルチチップパッケージ、その他のシステムソリューションの基礎になっています。35 年以上にわたるテクノロジー分野でのリーダーシップにより、マイクロンのメモリソリューションは世界で最も革新的なコンピュータ、コンシューマ、エンタープライズストレージ、ネットワーキング、モバイル、組み込みおよび車載アプリケーションを実現しています。マイクロン テクノロジー社の普通株式は NASDAQ にて MU のコード名で上場取引されています。マイクロン テクノロジー社に関する情報は www.micron.com をご覧ください。
以上
* マイクロンおよびマイクロンの軌道ロゴは、マイクロン テクノロジー社の商標です。
* Intel、インテル、Intel ロゴは、米国およびその他の国におけるインテル コーポレーションの商標です。
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