インテルとマイクロン 新しい 3 次元 NAND 型フラッシュメモリーを発表 ～ 技術の進化により、従来の NAND テクノロジーと比較して 3 倍の容量 *1 を実現 ～ 2015 年 3 月 27 日 ＜ご参考資料＞ * 2015 年 3 月 26 日に米国で発表されたプレスリリースの抄訳です。 ニュース・ハイライト 3 次元 NAND テクノロジーは、フローティング・ゲート・セルを採用。量産されている従来の NAND ダイと比較して 3 倍の容量 *1 を備え、これまでで最も高密度のフラッシュ・デバイスを実現 板ガムサイズのソリッド・ステート・ドライブ（SSD）で 3.5 テラバイト（TB）以上、標準的な 2.5 インチ SSD で 10TB 以上のストレージ容量を搭載可能 革新的なプロセス・アーキテクチャー技術により、ムーアの法則をフラッシュストレージにも拡張し、大幅な密度の向上と同時に NAND フラッシュのコストを低減 　インテル コーポレーション（本社：米国カリフォルニア州サンタクララ）とマイクロン テクノロジー社（本社：米国アイダホ州ボイジー）は本日、世界最高の高密度フラッシュメモリーを実現する … Continue reading インテルとマイクロン、新しい 3 次元 NAND 型フラッシュメモリーを発表