インテルとマイクロン業界初 25nm プロセス技術採用 3 ビット／セル NAND 型フラッシュメモリーのサンプル出荷開始～ 業界最大容量、最小の NAND 型フラッシュメモリー。消費者向け多数のストレージ・アプリケーションにコスト優位性を提供 ～ 2010 年 8 月 18 日 ＜ご参考資料＞* 2010 年 8 月 17 日に米国で発表されたプレスリリースの抄訳です。 インテル コーポレーション（本社：米国カリフォルニア州サンタクララ）とマイクロン テクノロジー社（本社：米国アイダホ州ボイジー）は、業界で最大容量、最小の NAND 製品となる、25nm（ナノメートル）プロセス技術を採用した 3 ビット／セル NAND 型フラッシュメモリーの出荷を発表しました。両社は、一部の顧客を対象に製品のサンプル出荷を開始しました。インテルとマイクロンは 2010 年内の量産出荷を予定しています。 25nm プロセス技術を採用した新しい 64Gb（ギガ・ビット）の 3 ビット／セル NAND 型フラッシュメモリーは、競争の激しい USB、SD カード、デジタル家電市場において、より優れたコスト効率と大容量化を実現します。フラッシュメモリーは主にデータ、写真、その他のマルチメディアを記憶し、デジタルカメラ、ポータブル・メディア・プレーヤー、デジタル・ビデオカメラ、そしてパソコンを含むあらゆるデジタル機器間で、データ保存やデータ転送を可能にします。これらの市場では、低価格で大容量のストレージが常に求められています。 両社の NAND フラッシュメモリー合弁会社である IM フラッシュ・テクノロジーズ（IMFT）によって設計された 64Gb（8G バイトと同等）製品向け 25nm プロセス技術による露光技術は、従来の 1 メモリー・セル当り … Continue reading インテルとマイクロン、業界初 25nm プロセス技術採用 3 ビット／セル NAND 型フラッシュメモリーのサンプル出荷開始