インテルとマイクロン、業界最小、最先端の 20nm プロセス技術 NAND 型フラッシュメモリーを発表 ～ タブレット端末、スマートフォン、SSD、デジタル家電機器などに適した小型かつ大容量の 8G バイトの新しい NAND フラッシュメモリー ～ 2011 年 4 月 15 日 ＜ご参考資料＞ ＊ 2011 年 4 月 14 日に米国で発表されたプレスリリースの抄訳です。 ニュース・ハイライト インテルとマイクロンが、業界最小の 20nm （ナノメートル）プロセス技術を開発 IM フラッシュ・テクノロジーズは、ファブ・ネットワーク全体の 20nm プロセス技術への迅速な移行で先行 ダイサイズ 118mm2 （平方ミリ）の 8G バイト多値セル NAND 型フラッシュメモリーで、スマートフォン、タブレット端末、ソリッド・ステート・ドライブ（SSD）などに適した大容量を実現 　インテル コーポレーション（本社：米国カリフォルニア州サンタクララ）とマイクロン テクノロジー社（本社：アイダホ州ボイジー）は本日、NAND 型フラッシュメモリーの製造に利用される業界最先端の 20nm（ナノメートル）プロセス技術を発表しました。この新しい 20nm プロセス技術は 8G バイト（GB）の多値セル（MLC） NAND 型フラッシュメモリーを実現し、スマートフォン、タブレット端末、ソリッド・ステート・ドライブ（SSD）などのコンピューティング機器での音楽、ビデオ、電子書籍などのデータ保存に適した、小型で大容量のストレージを追加できます。 　データ処理量の増加とタブレットやスマートフォンの機能の充実により、新しい NAND 型フラッシュ技術は、特に小型で大容量を実現する設計が求められています。20nm … Continue reading インテルとマイクロン、業界最小、最先端の 20nm プロセス技術 NAND 型フラッシュメモリーを発表