インテルとマイクロン 半導体業界最小最先端の 25nm プロセス技術による NAND 型フラッシュメモリーを発表 世界初の 25nm プロセス技術が、デジタル家電やコンピューティング機器向けに コスト効率に優れたストレージを可能に

インテルとマイクロン
半導体業界最小最先端の 25nm プロセス技術による NAND 型フラッシュメモリーを発表
世界初の 25nm プロセス技術が、デジタル家電やコンピューティング機器向けに
コスト効率に優れたストレージを可能に

2010 年 2 月 2 日

<ご参考資料>
* 2010 年 2 月 1 日に米国で発表されたプレスリリースの抄訳です。

ニュース・ハイライト

  • インテルとマイクロンが世界初の 25nm(ナノメートル)プロセス技術を開発
  • 25nm プロセス技術採用のフラッシュメモリーで、携帯音楽プレーヤー、メディア・プレーヤー、スマートフォン、ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)向けに、コスト効率に優れたストレージの大容量化を可能に
  • シングルチップの NAND 型フラッシュメモリーで 8G バイト(GB)を実現

インテル コーポレーション(本社:米国カリフォルニア州サンタクララ)とマイクロン テクノロジー社(本社:米国アイダホ州ボイジー)は、世界初の 25nm(ナノメートル)プロセス技術を採用した NAND 技術を発表しました。スマートフォン、音楽プレーヤーやメディア・プレーヤーなどデジタル機器や高性能ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)向けに、より優れたコスト効率の大容量ストレージを実現します。

NAND 型フラッシュメモリーは一般消費者向けデジタル家電製品のデータやその他のメディアを記憶し、電源がオフの状態でも情報を保持することができます。NAND 型フラッシュメモリーの微細化に向けた取り組みは、NAND 技術の継続的な開発と新たな利用形態を加速します。25nm プロセス技術の最小の NAND 型フラッシュメモリーは、世界最小の半導体技術でもあり、デジタル家電およびコンピューティング・アプリケーションの音楽、映像、およびその他のデータの大容量化を促進する技術的偉業を達成しました。

この最新技術は、両社の合弁会社である IM フラッシュ・テクノロジーズ(IMFT)によって製造されたものです。25nm プロセス技術では 1 チップに 8G バイト(GB)の容量を集積することができ、小型化が進むデジタル機器向けに記録媒体の大容量化に対応します。8GB 製品のダイサイズはコンパクトディスク(CD)の中央の穴より小さい 167mm2(平方ミリ)で、記憶容量 700M バイトの一般的な CD の 10 倍以上のデータを記憶します。

NAND 型フラッシュメモリーの研究開発に尽力するインテルとマイクロンはおよそ 18 カ月ごとに集積密度を倍増させ、より小型でコスト効率に優れた大容量の製品を実現します。インテルとマイクロンは 2006 年に IMFT を設立した後、50nm プロセス技術による製造を開始し、その後 2008 年に 34nm プロセス技術での製造を開始しました。今回発表の 25nm プロセス技術により、両社は業界で最小の半導体リソグラフィーの導入により、製造技術のリーダーシップをさらに高めます。

マイクロン テクノロジー社 メモリー部門担当副社長のブライアン・シャーリーは「最先端プロセス技術により半導体業界において先行することは、インテルとマイクロンにとって素晴らしい快挙であり、引き続きさらなる微細化を目指します。今回発表の製造技術は、私達のお客様にさらに高密度なメディア・ソリューションという大きな恩恵をもたらします」と述べています。

インテル コーポレーション 副社長 兼 NAND ソリューション事業部長のトム・ランポーンは「IMFT への継続した投資により、我々は最もコスト効率に優れ信頼性のある NAND 型フラッシュメモリーを実現する技術および製造におけるリーダーシップを強化します。今回の発表はコンピューティング向けソリッド・ステート・ドライブ(SSD)ソリューションの普及を加速するでしょう」と述べています。

25nm プロセス技術を採用した 8GB 製品は本日よりサンプル出荷を開始し、2010 年第 2 四半期の量産出荷を予定しています。家電メーカーには、2 ビット/セル多値セル(MLC)で最も高い集積度を実現した業界標準の薄型スモール・アウトライン・パッケージ(TSOP)に収まる複数の 8G バイト(GB)チップを積層することによりストレージ容量をさらに増加できます。今回発表の 25nm プロセス技術による 8GB 製品はこれまでのプロセス技術に比べ、チップ数を 50%削減し、さらに小型で高集積な設計およびコスト効率を実現します。例えば、256GB のソリッド・ステート・ドライブ(SSD)の場合、従来 64 個のチップが必要でしたが、32 個で実現でき、32GB のスマートフォンには 4 個、16GB のフラッシュカードメモリーにはわずか 2 個で実現可能になります。

関連リンク

以下のサイトでもインテルおよびマイクロン テクノロジー社の最新ニュースをご覧いただくことができます。

インテルについて

シリコンの技術革新で世界をリードするインテルは、人々の仕事と生活をさらに豊かにする先進的な技術と製品を開発、イニシアチブを推進していきます。インテルに関する情報は、www.intel.co.jp で入手できます。

マイクロン テクノロジー社について

マイクロン テクノロジー社は、先進的な半導体ソリューションを提供する世界的大手企業です。マイクロンは、世界全域での事業活動を通じ、最先端のコンピューター、家電製品、ネットワーキング、モバイル機器などに使用される、DRAM、NAND フラッシュメモリー、その他半導体部品とメモリモジュールなどを製造・販売しています。マイクロン テクノロジー社の普通株式は NASDAQ に MU のコード名で上場取引されています。マイクロン テクノロジー社に関する情報は、www.micron.com をご覧下さい。

以上

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* マイクロンおよびマイクロンのロゴは、マイクロン テクノロジー社の商標です。
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このプレスリリースは、25nm 8GB NAND デバイスの生産に関する将来予測を含んでいます。実際の事象や結果は、将来予測に含まれたものとは異なる可能性があります。マイクロン社が、その都度、米証券取引委員会に提出した連結ベースの書類、具体的には、当社直近の「10-K」と「10-Q」を参照ください。これらの書類は、実際の結果が当社にとり連結ベースで当社の、「将来予測」(「一部の要因」参照)に記載されたものと実質的に異なる原因となり得る重要な要因を含むと共に、それらを特定しています。「将来予測」に示された期待は妥当だと考えられますが、当社は将来の結果、活動のレベル、実績、業績などを保証するものではありません。

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