インテルとマイクロン半導体業界最小最先端の 25nm プロセス技術による NAND 型フラッシュメモリーを発表世界初の 25nm プロセス技術が、デジタル家電やコンピューティング機器向けにコスト効率に優れたストレージを可能に 2010 年 2 月 2 日 ＜ご参考資料＞* 2010 年 2 月 1 日に米国で発表されたプレスリリースの抄訳です。 ニュース・ハイライト インテルとマイクロンが世界初の 25nm（ナノメートル）プロセス技術を開発 25nm プロセス技術採用のフラッシュメモリーで、携帯音楽プレーヤー、メディア・プレーヤー、スマートフォン、ソリッド・ステート・ドライブ（SSD）向けに、コスト効率に優れたストレージの大容量化を可能に シングルチップの NAND 型フラッシュメモリーで 8G バイト（GB）を実現 インテル コーポレーション（本社：米国カリフォルニア州サンタクララ）とマイクロン テクノロジー社（本社：米国アイダホ州ボイジー）は、世界初の 25nm（ナノメートル）プロセス技術を採用した NAND 技術を発表しました。スマートフォン、音楽プレーヤーやメディア・プレーヤーなどデジタル機器や高性能ソリッド・ステート・ドライブ（SSD）向けに、より優れたコスト効率の大容量ストレージを実現します。 NAND 型フラッシュメモリーは一般消費者向けデジタル家電製品のデータやその他のメディアを記憶し、電源がオフの状態でも情報を保持することができます。NAND 型フラッシュメモリーの微細化に向けた取り組みは、NAND 技術の継続的な開発と新たな利用形態を加速します。25nm プロセス技術の最小の NAND 型フラッシュメモリーは、世界最小の半導体技術でもあり、デジタル家電およびコンピューティング・アプリケーションの音楽、映像、およびその他のデータの大容量化を促進する技術的偉業を達成しました。 この最新技術は、両社の合弁会社である IM フラッシュ・テクノロジーズ（IMFT）によって製造されたものです。25nm プロセス技術では 1 チップに 8G バイト（GB）の容量を集積することができ、小型化が進むデジタル機器向けに記録媒体の大容量化に対応します。8GB 製品のダイサイズはコンパクトディスク（CD）の中央の穴より小さい 167mm2（平方ミリ）で、記憶容量 700M バイトの一般的な … Continue reading インテルとマイクロン 半導体業界最小最先端の 25nm プロセス技術による NAND 型フラッシュメモリーを発表 世界初の 25nm プロセス技術が、デジタル家電やコンピューティング機器向けに コスト効率に優れたストレージを可能に