インテル、10 nm FPGAに関する最新情報と業界初のデータセンター向け64層3D NAND を発表

中国で開催された「Intel Technology and Manufacturing Day」で発表

<ご参考資料>

*2017年9月18日に米国で発表された資料の抄訳です。

 

インテル・コーポレーションは、中国・北京で現地時間9 月19日に開催された「Intel Technology and Manufacturing Day」で最新情報を発表しました。この発表には、インテルの10 nmプロセスがもたらす優れた消費電力効率や性能についての最新情報、インテル初の10 nm FPGAに関するプランの概要に加え、データセンターのアプリケーション向けとしては業界初となる 64層 3D NANDの商用出荷の開始も発表しました。

インテル・コーポレーションの製造・オペレーション・セールス担当 グループ・プレジデントのステイシー・スミスは「インテルの製造プロセスはムーアの法則に従って進歩を続けており、各世代で機能性とパフォーマンス、電力効率の向上、トランジスター当たりコ

ストの削減を実現しています。ここ中国で初めて、ムーアの法則による進化を証明するプロセス技術のロードマップの重要なマイルストーンを紹介できることを嬉しく思います」と述べています。

プレスキット: Leading at the Edge: Intel Technology and Manufacturing (英語)

またスミスは、毎年ごとに製品の低価格化と同時に性能の向上を実現するムーアの法則の進化が、インテルの競争優位性を生み出す源泉となっていることも紹介しました。インテルはこれからもムーアの法則を推進するテクノロジー・リーダーとしての役割を果たしていくとともに、現時点でインテルのプロセス技術は約3年もの優位性を業界内で維持しています。詳細については、スミスのコラム「Moore‘s Law: Setting the Record Straight」(英語) をご参照ください。

インテル・コーポレーションの上級フェローであるマーク・ボーアは、インテルのテクノロジーにおける優位性に関するデモを行い、インテルの10 nmが、トランジスターの密度とパフォーマンスの両面において他社の10 nmテクノロジーと比べて1世代相当のリードを維持していることを示す最新の仕様を発表しました。ハイパースケーリングにより実現するインテルの 10 nmテクノロジーは、業界最高のトランジスター密度の達成に向けて、世界で最も微細化されたトランジスターとメタルのピッチを備えています。ハイパースケーリングは、インテルが最初に使用した用語であり、14 nm と10 nmのプロセスで2.7 倍に向上した論理トランジスター密度を表す言葉です。また、会場ではインテルのCannon Lake (開発コード名)の10 nm ウエハーを初めて公開しました。

また、マーク・ボーアは、業界におけるノード名に関するわかりにくさを解消し、さまざまなメーカー間の比較を容易にするために、トランジスター密度の測定方法に関する共通の業界標準を策定するというインテルの継続的な取り組みに関連して密度の測定基準に関する提案も行いました。

また、ボーアはインテルの 22FFLがもたらす消費電力およびパフォーマンスについても紹介しました。22FFLは、モバイル・アプリケーション向けの圧倒的に低電力な FinFET テクノロジーで、今年3月にサンフランシスコで開催された「Intel Technology and Manufacturing Day」で初めて発表されました。2 GHzを超えるクラス最高のCPU性能と、リーク電流を1/100に抑えた超低電力性能を実現した点にも言及しました。さらに、22FFL ウエハーも初めて公開しました。

10 nmのプロセス技術とファウンドリー・プラットフォームを採用する次世代FPGAに関するプランの概要も発表しました。Falcon Mesaという開発コード名で発表されたこの FPGA は、データセンター、企業、ネットワーク環境においてますます増大する帯域幅の要件に対応可能な、新たな次元の性能を実現します。詳細については、「Falcon Mesa fact sheet」(英語) をご参照ください。

2016年8月にサンフランシスコで開催された「Intel Developer Forum」において、インテルのカスタム・ファウンドリー部門は、インテルの 10 nmプロセス上での ARM SoC の開発と実装の加速に向けたARM* との提携を発表しています。この協業の成果として展示された、業界標準のデザインフローに基づき ARM Cortex-A75 CPUコアを実装し、3 GHzを超えるパフォーマンスを実現する10 nmのテスト・チップ・ウエハーに注目が集まりました。

また、インテルはデータセンター・アプリケーション向けとして業界で初めて64層Triple Level Cell (TLC) 3D NAND ソリッドステート・ドライブ (SSD) の出荷を開始したことも発表しました。これは、ストレージ効率の飛躍的な向上を目的として設計された製品で、先行導入する一部の大手クラウド・サービス・プロバイダー向けに8月初旬から出荷を開始しています。インテルの30年にわたるメモリー開発における専門性により、3D NANDフローティング・ゲート・アーキテクチャーと製造プロセスが最適化されました。この先進的なプロセスを通じて、インテルは6月に発表したクライアント製品から64層TLC SSD のポートフォリオを迅速に拡大しており、今回、データセンター向けのSSDもこの技術に対応することになります。さらに今年末に向けて、対応製品はさらに拡大する予定です。

 

オレゴン州ヒルズボロにあるインテル D1D/ D1X 工場の生産施設とクリーンルーム施設。
(2017 年 4 月撮影)(Credit: Intel Corporation)

 

» 参考画像セット 1 のダウンロード(英語)(ZIP、325 MB)
» 参考画像セット 2 のダウンロード(英語)(ZIP、387 MB)

 

インテルについて

インテルは、テクノロジーの可能性を広げ、この上ない感動体験を提供します。インテル、そしてインテル10万人以上の社員による創造の成果については、newsroom.intel.co.jp または intel.co.jpでご覧ください。

以上

  • Intel、インテル、Intel ロゴは、米国およびその他の国におけるインテル コーポレーションの商標です。
  • その他の社名、製品名などは、一般に各社の商標または登録商標です。

 

 

About Intel
Intel (NASDAQ: INTC) expands the boundaries of technology to make the most amazing experiences possible. Information about Intel can be found at newsroom.intel.com and intel.com.

Intel and the Intel logo are trademarks of Intel Corporation in the United States and other countries.

*Other names and brands may be claimed as the property of others.